Продукція > VISHAY > SI8812DB-T2-E1
SI8812DB-T2-E1

SI8812DB-T2-E1 Vishay

si8812db.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8812DB-T2-E1 Vishay

Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V.

Інші пропозиції SI8812DB-T2-E1 за ціною від 10.42 грн до 42.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8812DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8812db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
13+24.00 грн
100+16.33 грн
500+11.98 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8812db.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 24573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.30 грн
13+27.60 грн
100+16.29 грн
500+12.77 грн
1000+11.60 грн
3000+10.49 грн
9000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8812db.pdf SI8812DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8812DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8812db.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.