SI8812DB-T2-E1 Vishay Semiconductors
на замовлення 24979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.38 грн |
| 13+ | 25.5 грн |
| 100+ | 15.98 грн |
| 500+ | 12.52 грн |
| 1000+ | 9.92 грн |
| 3000+ | 9.72 грн |
| 9000+ | 9.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8812DB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V.
Інші пропозиції SI8812DB-T2-E1 за ціною від 10.98 грн до 30.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8812DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI8812DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI8812DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 93mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SI8812DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI8812DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 93mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD |
товар відсутній |