Продукція > VISHAY > SI8816EDB-T2-E1
SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1 Vishay

si8816edb.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8816EDB-T2-E1 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI8816EDB-T2-E1 за ціною від 8.34 грн до 47.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8816edb.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 Виробник : Vishay / Siliconix si8816edb.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.32 грн
14+26.67 грн
100+11.45 грн
500+10.91 грн
1000+10.76 грн
3000+9.10 грн
6000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8816edb.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.56 грн
12+28.50 грн
100+14.42 грн
500+13.19 грн
1000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8816edb.pdf SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.