SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8816EDB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.087 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 2.3, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 900, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600, Verlustleistung: 900, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).
Інші пропозиції SI8816EDB-T2-E1 за ціною від 11.20 грн до 44.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI8816EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V |
на замовлення 4753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI8816EDB-T2-E1 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
на замовлення 4243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI8816EDB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI8816EDB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.64 грн |
| 12+ | 26.76 грн |
| 100+ | 13.53 грн |
| 500+ | 12.38 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| SI8816EDB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI8816EDB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)