SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix


si8816edb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI8816EDB-T2-E1 за ціною від 7.75 грн до 45.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 Vishay / Siliconix si8816edb.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.50 грн
14+24.80 грн
100+10.64 грн
500+10.15 грн
1000+10.01 грн
3000+8.46 грн
6000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8816edb.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.99 грн
12+27.56 грн
100+13.94 грн
500+12.75 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.50 грн
14+24.80 грн
100+10.64 грн
500+10.15 грн
1000+10.01 грн
3000+8.46 грн
6000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+45.99 грн
12+27.56 грн
100+13.94 грн
500+12.75 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.