SI8817DB-T2-E1 Vishay Semiconductors
на замовлення 74499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.25 грн |
| 12+ | 26.65 грн |
| 100+ | 17.31 грн |
| 500+ | 13.65 грн |
| 1000+ | 10.79 грн |
| 3000+ | 9.26 грн |
| 9000+ | 8.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8817DB-T2-E1 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI8817DB-T2-E1 за ціною від 28.02 грн до 33.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8817DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SI8817DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R |
товар відсутній |
|||||||
| SI8817DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W On-state resistance: 0.32Ω Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -15A Gate charge: 19nC Drain current: -2.9A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
SI8817DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||
| SI8817DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W On-state resistance: 0.32Ω Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -15A Gate charge: 19nC Drain current: -2.9A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Gate-source voltage: ±8V |
товар відсутній |