SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.11 грн |
| 6000+ | 9.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI8817DB-T2-E1 за ціною від 7.61 грн до 41.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8817DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8817DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI8817DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V |
на замовлення 7211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8817DB-T2-E1 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
на замовлення 63881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI8817DB-T2-E1 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI8817DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.32Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI8817DB-T2-E1 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -15A Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.32Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |