SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.61 грн |
| 9000+ | 10.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: MICRO FOOT, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI8817DB-T2-E1 за ціною від 11.94 грн до 58.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 4-Microfoot Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V |
на замовлення 19929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI8817DB-T2-E1 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 |
на замовлення 37105 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI8817DB-T2-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SI8817DB-T2-E1 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: MICRO FOOT Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI8817DB-T2-E1 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI8817DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 10 V
на замовлення 19929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.84 грн |
| 10+ | 32.18 грн |
| 50+ | 23.55 грн |
| 100+ | 19.46 грн |
| 500+ | 14.81 грн |
| SI8817DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 37105 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.77 грн |
| 10+ | 35.74 грн |
| 100+ | 20.04 грн |
| 500+ | 15.24 грн |
| 1000+ | 14.04 грн |
| 3000+ | 11.94 грн |
| SI8817DB-T2-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI8817DB-T2-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI8817DB-T2-E1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: MICRO FOOT
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI8817DB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 38.86 грн |
| 23+ | 35.02 грн |
| 25+ | 34.72 грн |
| 100+ | 25.71 грн |
| 250+ | 23.56 грн |
| 500+ | 18.12 грн |