Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI8819EDB-T2-E1
SI8819EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors

si8819edb.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.68 грн
13+27.92 грн
100+16.55 грн
500+12.43 грн
1000+9.34 грн
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8819EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI8819EDB-T2-E1 за ціною від 9.52 грн до 42.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8819EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8819edb.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8819edb.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 6 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
13+25.21 грн
100+16.02 грн
500+11.33 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 SI8819EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8819edb.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.1A 4-Pin Micro Foot
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8819EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8819edb.pdf SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.