Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8821EDB-T2-E1
SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8821edb.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-Microfoot, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI8821EDB-T2-E1 за ціною від 7.29 грн до 46.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8821EDB-T2-E1 SI8821EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8821edb.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
на замовлення 5231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.03 грн
12+27.60 грн
100+14.02 грн
500+11.85 грн
1000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 SI8821EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8821edb.pdf MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
на замовлення 26863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.19 грн
12+28.58 грн
100+12.43 грн
1000+11.16 грн
3000+7.81 грн
9000+7.59 грн
24000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 SI8821EDB-T2-E1 Виробник : Vishay si8821edb.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 4-Pin Micro Foot T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8821EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8821edb.pdf SI8821EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.