Продукція > VISHAY SILICONIX > Si8823EDB-T2-E1
Si8823EDB-T2-E1

Si8823EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8823edb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.72 грн
6000+9.43 грн
9000+8.97 грн
15000+7.94 грн
21000+7.66 грн
30000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si8823EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 900mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V.

Інші пропозиції Si8823EDB-T2-E1 за ціною від 8.72 грн до 48.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Si8823EDB-T2-E1 Si8823EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8823edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
на замовлення 38802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.28 грн
11+27.80 грн
100+17.80 грн
500+12.66 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si8823EDB-T2-E1 Si8823EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8823edb.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT
на замовлення 16538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.24 грн
11+29.51 грн
100+16.39 грн
500+12.41 грн
1000+11.16 грн
3000+9.48 грн
6000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si8823EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8823edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -15A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT®
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 335mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.