Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8851EDB-T2-E1
SI8851EDB-T2-E1

SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8851edb.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.46 грн
6000+16.38 грн
9000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 30-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI8851EDB-T2-E1 за ціною від 19.29 грн до 74.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors VISH_S_A0001121439_1-2567121.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.41 грн
10+42.05 грн
100+29.65 грн
500+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8851edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
на замовлення 10618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.01 грн
10+45.29 грн
100+29.52 грн
500+21.34 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8851edb.pdf SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.