Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8851EDB-T2-E1
SI8851EDB-T2-E1

SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8851edb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.19 грн
6000+16.14 грн
9000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 30-XFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI8851EDB-T2-E1 за ціною від 13.38 грн до 72.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8851edb.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.18 грн
10+41.02 грн
100+23.83 грн
500+18.60 грн
1000+16.86 грн
3000+14.49 грн
6000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8851edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-XFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.89 грн
10+44.61 грн
100+29.07 грн
500+21.02 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8851edb.pdf MOSFET, P CHANNEL, -20V, -16.7A, MICRO FOOT Група товару: Мікросхеми електроживлення Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.