Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8851EDB-T2-E1
SI8851EDB-T2-E1

SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8851edb.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.85 грн
6000+16.72 грн
9000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 30-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI8851EDB-T2-E1 за ціною від 14.42 грн до 75.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Semiconductors si8851edb.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.02 грн
10+44.22 грн
100+25.68 грн
500+20.05 грн
1000+18.17 грн
3000+15.62 грн
6000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Виробник : Vishay Siliconix si8851edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
на замовлення 10618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.55 грн
10+46.23 грн
100+30.13 грн
500+21.79 грн
1000+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 Виробник : VISHAY si8851edb.pdf SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.