Продукція > VISHAY SILICONIX > SI8851EDB-T2-E1
SI8851EDB-T2-E1

SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

si8851edb.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.98 грн
6000+15.95 грн
9000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 30-XFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI8851EDB-T2-E1 за ціною від 18.79 грн до 72.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8851edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-XFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.07 грн
10+44.10 грн
100+28.74 грн
500+20.78 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 SI8851EDB-T2-E1 Vishay Semiconductors si8851edb.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
SI8851EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: Power Micro Foot® (2.4x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 30-XFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.07 грн
10+44.10 грн
100+28.74 грн
500+20.78 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
SI8851EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.