Технічний опис SI8902AEDB-T2-E1 Vishay Siliconix
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 24V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: reel; tape, Case: MICROFOOT®, On-state resistance: 37mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 5.7W.
Інші пропозиції SI8902AEDB-T2-E1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI8902AEDB-T2-E1 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI8902AEDB-T2-E1 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 11A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 24V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Case: MICROFOOT® On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 5.7W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI8902AEDB-T2-E1 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
MOSFETs 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI8902AEDB-T2-E1 |
|
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 24V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: MICROFOOT®
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.7W
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 24V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: MICROFOOT®
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.7W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.