Продукція > SILICONIX > SI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3 Siliconix

info-tsi9407bdy.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9407BDY-T1-GE3 Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI9407BDY-T1-GE3 за ціною від 27.80 грн до 117.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay info-tsi9407bdy.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.33 грн
5000+28.93 грн
7500+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix info-tsi9407bdy.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si9407bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.50 грн
10+72.51 грн
100+42.18 грн
500+33.24 грн
1000+30.31 грн
2500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 11437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.83 грн
10+72.17 грн
100+48.25 грн
500+35.67 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.