Продукція > VISHAY > SI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

si9407bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції SI9407BDY-T1-GE3 за ціною від 22.89 грн до 78.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.82 грн
5000+ 25.56 грн
12500+ 25.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.88 грн
5000+ 25.62 грн
12500+ 25.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.66 грн
5000+ 27.2 грн
12500+ 25.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.44 грн
15+ 40.77 грн
25+ 40.42 грн
100+ 34.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 22153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+49.6 грн
500+ 39.05 грн
1000+ 29.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.52 грн
10+ 35.24 грн
25+ 31.63 грн
34+ 24.21 грн
92+ 22.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.74 грн
11+ 33.44 грн
25+ 29.2 грн
30+ 26.78 грн
83+ 25.32 грн
500+ 24.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 22153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+68.65 грн
50+ 59.17 грн
100+ 49.6 грн
500+ 39.05 грн
1000+ 29.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 22242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.04 грн
10+ 56.47 грн
100+ 43.94 грн
500+ 34.95 грн
1000+ 28.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+73.29 грн
7500+ 66.97 грн
15000+ 62.31 грн
22500+ 56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si9407bd.pdf MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 12528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.3 грн
10+ 62.8 грн
100+ 41.95 грн
500+ 36.03 грн
1000+ 29.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4044 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.89 грн
7+ 41.67 грн
25+ 35.04 грн
30+ 32.13 грн
83+ 30.38 грн
500+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4044 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.89 грн
7+ 41.67 грн
25+ 35.04 грн
30+ 32.13 грн
83+ 30.38 грн
500+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній