на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9407BDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI9407BDY-T1-GE3 за ціною від 25.07 грн до 148.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V |
на замовлення 12231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 8117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors |
на замовлення 3037 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |