Продукція > VISHAY > SI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

si9407bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI9407BDY-T1-GE3 за ціною від 24.95 грн до 127.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.87 грн
5000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049288.pdf Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.05 грн
5000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.09 грн
500+36.19 грн
1000+30.47 грн
5000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+103.66 грн
10+62.53 грн
34+27.92 грн
92+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.80 грн
10+67.30 грн
34+28.00 грн
92+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 12499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.61 грн
10+73.34 грн
100+49.07 грн
500+36.26 грн
1000+33.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.12 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.36 грн
12+77.87 грн
100+52.09 грн
500+36.19 грн
1000+30.47 грн
5000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.39 грн
10+77.92 грн
34+33.51 грн
92+31.69 грн
7500+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.39 грн
10+77.92 грн
34+33.51 грн
92+31.69 грн
7500+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si9407bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.41 грн
10+79.30 грн
100+46.13 грн
500+36.35 грн
1000+33.14 грн
2500+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+24.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si9407bd.pdf P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.