Продукція > VISHAY > SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

Name: SI9407BDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 40451-7
Price: 47825 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	19.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI9407BDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI9407BDY-T1-GE3 за ціною від 23.87 грн до 148.38 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	28.59 грн
5000+	28.30 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	30.79 грн
5000+	30.48 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	33.87 грн
5000+	31.49 грн
7500+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 7440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	36.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 26258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	54.54 грн
500+	37.95 грн
1000+	31.96 грн
5000+	29.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 9224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	98.21 грн
10+	77.53 грн
100+	48.40 грн
500+	38.10 грн
1000+	34.83 грн
2500+	33.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI9407BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 26258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	114.78 грн
11+	80.02 грн
100+	54.54 грн
500+	37.95 грн
1000+	31.96 грн
5000+	29.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V

на замовлення 10509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	120.89 грн
10+	75.59 грн
100+	50.55 грн
500+	37.36 грн
1000+	34.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Siliconix

P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 190 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
30+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 14 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Siliconix

P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	55.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors

на замовлення 3655 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	109.51 грн
31+	35.01 грн
84+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	109.51 грн
34+	31.93 грн
92+	30.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8

на замовлення 24 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	148.38 грн
10+	137.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI9407BDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.