Продукція > VISHAY SILICONIX > SI9407BDY-T1-E3
SI9407BDY-T1-E3

SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si9407bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.63 грн
5000+36.46 грн
7500+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.

Інші пропозиції SI9407BDY-T1-E3 за ціною від 31.92 грн до 144.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si9407bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 60748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.64 грн
10+78.37 грн
100+45.27 грн
500+38.25 грн
1000+35.54 грн
2500+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 18839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.73 грн
10+88.67 грн
100+59.81 грн
500+44.51 грн
1000+40.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.