SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 40.89 грн |
| 7500+ | 35.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SI9407BDY-T1-E3 за ціною від 26.49 грн до 156.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9407BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1852 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V |
на замовлення 10609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 272 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9407BDY-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI9407BDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.32 грн |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.32 грн |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 54.67 грн |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 54.86 грн |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 84.78 грн |
| 11+ | 72.24 грн |
| 25+ | 67.01 грн |
| 100+ | 47.05 грн |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 125.26 грн |
| 10+ | 63.17 грн |
| 35+ | 28.02 грн |
| 95+ | 26.49 грн |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 112+ | 131.13 грн |
| 145+ | 101.15 грн |
| 250+ | 83.60 грн |
| 500+ | 68.61 грн |
| 1000+ | 49.38 грн |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 10609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.00 грн |
| 10+ | 89.25 грн |
| 50+ | 67.29 грн |
| 100+ | 56.49 грн |
| 500+ | 44.79 грн |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 272 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.24 грн |
| 10+ | 83.32 грн |
| 100+ | 57.48 грн |
| 500+ | 43.56 грн |
| 1000+ | 40.25 грн |
| 2500+ | 34.08 грн |
| SI9407BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI9407BDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)