Продукція > VISHAY > SI9407BDY-T1-E3
SI9407BDY-T1-E3

SI9407BDY-T1-E3 Vishay

si9407bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9407BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI9407BDY-T1-E3 за ціною від 21.61 грн до 152.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+37.87 грн
345+35.31 грн
352+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.69 грн
5000+38.31 грн
7500+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+44.38 грн
18+40.60 грн
25+40.46 грн
100+36.08 грн
250+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si9407bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 73235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.35 грн
10+42.82 грн
100+33.66 грн
500+33.51 грн
1000+33.36 грн
2500+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.81 грн
10+48.12 грн
25+43.61 грн
41+22.95 грн
112+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.57 грн
10+59.97 грн
25+52.33 грн
41+27.54 грн
112+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 18839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.05 грн
10+93.16 грн
100+62.83 грн
500+46.76 грн
1000+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.