Продукція > VISHAY > SI9407BDY-T1-E3
SI9407BDY-T1-E3

SI9407BDY-T1-E3 Vishay

si9407bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9407BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI9407BDY-T1-E3 за ціною від 29.84 грн до 155.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+38.69 грн
345+36.07 грн
352+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.62 грн
5000+39.14 грн
7500+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.35 грн
18+41.48 грн
25+41.34 грн
100+36.87 грн
250+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9407bd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si9407bd.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 73210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.71 грн
10+46.96 грн
500+37.88 грн
1000+36.02 грн
2500+32.76 грн
25000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.99 грн
10+44.32 грн
25+41.40 грн
100+37.04 грн
250+34.13 грн
500+31.94 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.79 грн
10+55.22 грн
25+49.69 грн
100+44.44 грн
250+40.95 грн
500+38.33 грн
1000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 18839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.36 грн
10+95.18 грн
100+64.20 грн
500+47.77 грн
1000+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.