SI9433BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.66 грн |
| 10+ | 50.19 грн |
| 100+ | 39.01 грн |
| 500+ | 31.03 грн |
| 1000+ | 25.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9433BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI9433BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI9433BDY-T1-GE3 за ціною від 37.96 грн до 120.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9433BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9433BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9433BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 6.2A 2.5W 40mohm @ 4.5V |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9433BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI9433BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI9433BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI9433BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI9433BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |