SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 76.75 грн |
| 14+ | 58.41 грн |
| 25+ | 55.25 грн |
| 50+ | 48.29 грн |
| 100+ | 41.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI9435BDY-T1-GE3 за ціною від 23.23 грн до 88.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9435BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI9435BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V |
на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI9435BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SI9435BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI9435BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |