| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 307+ | 47.84 грн |
| 320+ | 45.92 грн |
| 500+ | 44.26 грн |
| 1000+ | 41.29 грн |
| 2500+ | 37.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
307 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9435BDY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI9435BDY-T1-GE3 за ціною від 25.13 грн до 95.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9435BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9435BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V |
на замовлення 3620 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9435BDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET tariffCode: 85412900 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI9435BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.32 грн |
| 10+ | 54.02 грн |
| 100+ | 37.52 грн |
| 500+ | 28.26 грн |
| 1000+ | 25.98 грн |
| SI9435BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
MOSFETs 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.68 грн |
| 10+ | 60.56 грн |
| 100+ | 37.69 грн |
| 500+ | 32.65 грн |
| 1000+ | 27.91 грн |
| 2500+ | 25.13 грн |
| SI9435BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)