SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9435BDY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 76.19 грн |
| 14+ | 57.99 грн |
| 25+ | 54.85 грн |
| 50+ | 47.94 грн |
| 100+ | 41.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI9435BDY-T1-GE3 за ціною від 23.06 грн до 87.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9435BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9435BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V |
на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI9435BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.55 грн |
| 10+ | 52.87 грн |
| 100+ | 36.72 грн |
| 500+ | 27.66 грн |
| 1000+ | 25.43 грн |
| SI9435BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
MOSFETs 30V 5.7A 2.5W 42mohm @ 10V
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.79 грн |
| 10+ | 55.57 грн |
| 100+ | 34.59 грн |
| 500+ | 29.96 грн |
| 1000+ | 25.61 грн |
| 2500+ | 23.06 грн |