Продукція > VISHAY > SI9435BDY-T1-E3
SI9435BDY-T1-E3

SI9435BDY-T1-E3 Vishay

si9435bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9435BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI9435BDY-T1-E3 за ціною від 24.57 грн до 110.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Si9435BDY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors Si9435BDY.PDF MOSFETs 30V 5.7A 0.042Ohm
на замовлення 17385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.26 грн
10+61.59 грн
100+41.27 грн
500+33.33 грн
1000+28.54 грн
2500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Si9435BDY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.62 грн
10+67.44 грн
100+44.78 грн
500+32.91 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.50 грн
38+28.42 грн
105+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9435bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si9435bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.