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Технічний опис SI9634DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI9634DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SI9634DY-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SI9634DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI9634DY-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI9634DY-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
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Description: VISHAY - SI9634DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.029 ohm
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)