Технічний опис SI9910DY-T1-E3 VISHAY
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10.8V ~ 16.5V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 500 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 35ns, Channel Type: Single, Driven Configuration: High-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції SI9910DY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI9910DY-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 0712 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI9910DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Driver 1A 1-OUT High Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
 |
SI9910DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Driver 1A 1-OUT High Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|
 |
SI9910DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10.8V ~ 16.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 500 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 35ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
SI9910DY-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
Gate Drivers MOSFET Driver |
товар відсутній |