Технічний опис SI9926CDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: NSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SI9926CDY-T1-GE3 за ціною від 28.76 грн до 132.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOICPart Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 3.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 6.7A Pulsed drain current: 30A On-state resistance: 22mΩ Gate charge: 33nC Gate-source voltage: ±12V Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 3.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 19703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 7938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI9926CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 37.23 грн |
| 5000+ | 33.38 грн |
| 7500+ | 32.13 грн |
| 12500+ | 28.83 грн |
| 17500+ | 28.76 грн |
| SI9926CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 41.02 грн |
| SI9926CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 267+ | 52.92 грн |
| 326+ | 43.40 грн |
| SI9926CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 70.90 грн |
| SI9926CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 127.96 грн |
| 5+ | 94.56 грн |
| 10+ | 82.42 грн |
| 50+ | 58.99 грн |
| 100+ | 51.63 грн |
| 500+ | 39.75 грн |
| 1000+ | 36.40 грн |
| SI9926CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 19703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.95 грн |
| 10+ | 81.71 грн |
| 100+ | 54.98 грн |
| 500+ | 40.84 грн |
| 1000+ | 37.38 грн |
| SI9926CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 7938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI9926CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI9926CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)