SI9926CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 32.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9926CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: NSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SI9926CDY-T1-GE3 за ціною від 27.75 грн до 138.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 3292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 22mΩ Drain current: 6.7A Pulsed drain current: 30A Gate charge: 33nC Gate-source voltage: ±12V Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 17503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 7938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 3292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |