Si9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.06 грн |
| 5000+ | 16.88 грн |
| 7500+ | 16.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 3.1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції Si9933CDY-T1-E3 за ціною від 14.10 грн до 76.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Si9933CDY-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 27174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
Si9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 9040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI9933CDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| Si9933CDY-T1-E3 | VISHAY |
08+ SOT-23 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| Si9933CDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 27174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.72 грн |
| 10+ | 34.93 грн |
| 100+ | 20.79 грн |
| 500+ | 15.29 грн |
| 1000+ | 14.10 грн |
| Si9933CDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.12 грн |
| 10+ | 45.66 грн |
| 100+ | 29.76 грн |
| 500+ | 21.53 грн |
| 1000+ | 19.46 грн |
| SI9933CDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| Si9933CDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
08+ SOT-23
08+ SOT-23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



