Продукція > VISHAY SILICONIX > Si9933CDY-T1-E3
Si9933CDY-T1-E3

Si9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si9933cdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.50 грн
5000+16.39 грн
7500+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції Si9933CDY-T1-E3 за ціною від 6.07 грн до 73.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI9933CDY-T1-E3 SI9933CDY-T1-E3 Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.28 грн
61+12.29 грн
67+11.25 грн
74+9.84 грн
100+8.18 грн
250+6.96 грн
500+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3 SI9933CDY-T1-E3 Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
584+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 Si9933CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.89 грн
10+44.33 грн
100+28.89 грн
500+20.90 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 Si9933CDY-T1-E3 Vishay / Siliconix si9933cdy.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 23263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3 SI9933CDY-T1-E3 VISHAY si9933cdy.pdf Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3 SI9933CDY-T1-E3 Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3 SI9933CDY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDYT1E3 VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 VISHAY si9933cdy.pdf 08+ SOT-23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+19.28 грн
61+12.29 грн
67+11.25 грн
74+9.84 грн
100+8.18 грн
250+6.96 грн
500+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
584+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
Si9933CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.89 грн
10+44.33 грн
100+28.89 грн
500+20.90 грн
1000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
Si9933CDY-T1-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 23263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-E3 VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI9933CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-E3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
08+ SOT-23
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.