Продукція > VISHAY > SI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

si9933cdy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SI9933CDY-T1-GE3 за ціною від 12.71 грн до 62.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.32 грн
5000+ 13.97 грн
12500+ 12.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.35 грн
5000+ 14.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.53 грн
5000+ 15.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.34 грн
27+ 21.77 грн
100+ 17.65 грн
250+ 16.24 грн
500+ 14.14 грн
1000+ 12.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
498+23.44 грн
593+ 19.71 грн
596+ 19.59 грн
658+ 17.13 грн
1000+ 14.26 грн
Мінімальне замовлення: 498
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
457+25.58 грн
482+ 24.22 грн
484+ 24.12 грн
556+ 20.26 грн
1000+ 17.89 грн
Мінімальне замовлення: 457
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.22 грн
500+ 20.81 грн
1000+ 16.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si9933cdy.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 104973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.83 грн
10+ 32.01 грн
100+ 19.91 грн
500+ 17.18 грн
1000+ 14.85 грн
2500+ 13.65 грн
5000+ 13.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 23367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.34 грн
10+ 33.64 грн
100+ 23.29 грн
500+ 18.26 грн
1000+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+40.42 грн
50+ 33.39 грн
100+ 26.22 грн
500+ 20.81 грн
1000+ 16.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI9933CDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.29 грн
15+ 24.42 грн
25+ 21.5 грн
44+ 18.53 грн
119+ 17.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI9933CDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.75 грн
9+ 30.43 грн
25+ 25.8 грн
44+ 22.24 грн
119+ 21.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 40
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній