SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.21 грн |
| 5000+ | 16.13 грн |
| 7500+ | 15.41 грн |
| 12500+ | 13.71 грн |
| 17500+ | 13.26 грн |
| 25000+ | 12.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 3.1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI9933CDY-T1-GE3 за ціною від 14.24 грн до 75.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 3.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V |
на замовлення 88147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 48508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
на замовлення 88147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.95 грн |
| 10+ | 43.60 грн |
| 100+ | 28.44 грн |
| 500+ | 20.57 грн |
| 1000+ | 18.59 грн |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 48508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.65 грн |
| 10+ | 46.44 грн |
| 100+ | 26.36 грн |
| 500+ | 20.30 грн |
| 1000+ | 18.40 грн |
| 2500+ | 16.21 грн |
| 5000+ | 14.24 грн |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 18.90 грн |