Продукція > VISHAY > SI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

si9933cdy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI9933CDY-T1-GE3 за ціною від 13.83 грн до 83.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.42 грн
5000+15.82 грн
7500+15.76 грн
12500+14.30 грн
17500+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.28 грн
5000+22.65 грн
10000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
410+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.84 грн
500+24.22 грн
1000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.19 грн
9+47.01 грн
10+40.84 грн
44+21.21 грн
121+20.10 грн
500+19.95 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.62 грн
10+44.16 грн
100+29.02 грн
500+21.45 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si9933cdy.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 51206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.23 грн
10+47.18 грн
100+26.75 грн
500+20.59 грн
1000+18.62 грн
2500+16.94 грн
5000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.83 грн
6+58.59 грн
10+49.01 грн
44+25.45 грн
121+24.12 грн
500+23.93 грн
1000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.19 грн
50+51.82 грн
100+33.84 грн
500+24.22 грн
1000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.