Продукція > VISHAY SILICONIX > SI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si9933cdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.96 грн
5000+15.91 грн
7500+15.20 грн
12500+13.52 грн
17500+13.08 грн
25000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI9933CDY-T1-GE3 за ціною від 18.34 грн до 71.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.28 грн
5000+24.51 грн
10000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
на замовлення 88147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.95 грн
10+43.00 грн
100+28.05 грн
500+20.29 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si9933cdy.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 48508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 Vishay si9933cdy.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.28 грн
5000+24.51 грн
10000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
410+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
на замовлення 88147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.95 грн
10+43.00 грн
100+28.05 грн
500+20.29 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 48508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Виробник: Vishay
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.