SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.80 грн |
| 7500+ | 16.76 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI9933CDY-T1-GE3 за ціною від 18.43 грн до 84.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9933CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -20A |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 71269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 3695 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI9933CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: -W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SI9933CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: -W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.27 грн |
| 5000+ | 25.44 грн |
| 10000+ | 23.23 грн |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.42 грн |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 410+ | 35.74 грн |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 74.06 грн |
| 10+ | 45.76 грн |
| 43+ | 22.75 грн |
| 117+ | 21.57 грн |
| 500+ | 20.72 грн |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 71269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.59 грн |
| 10+ | 44.70 грн |
| 50+ | 32.96 грн |
| 100+ | 27.38 грн |
| 500+ | 21.09 грн |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.53 грн |
| 10+ | 51.31 грн |
| 100+ | 29.34 грн |
| 500+ | 23.02 грн |
| 1000+ | 21.67 грн |
| 2500+ | 18.43 грн |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)