Продукція > VISHAY > SI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

si9933cdy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9933CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI9933CDY-T1-GE3 за ціною від 13.39 грн до 73.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.78 грн
5000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.87 грн
5000+15.32 грн
7500+15.26 грн
12500+13.84 грн
17500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.99 грн
5000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.91 грн
10000+21.86 грн
15000+20.34 грн
20000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
495+24.69 грн
593+20.60 грн
599+20.38 грн
621+18.95 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 495
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+27.16 грн
27+22.93 грн
100+18.44 грн
250+16.90 грн
500+15.64 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
437+27.96 грн
467+26.13 грн
469+26.03 грн
518+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9933cdy.pdf Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 17153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.55 грн
500+22.84 грн
1000+18.82 грн
5000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9933cdy.pdf Description: VISHAY - SI9933CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.27 грн
50+38.79 грн
100+28.64 грн
500+22.22 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si9933cdy.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 70428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.97 грн
10+42.81 грн
100+25.45 грн
500+21.26 грн
1000+18.10 грн
2500+15.67 грн
5000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+42.76 грн
100+28.10 грн
500+20.77 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9933cdy.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.97 грн
44+24.65 грн
121+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.