Технічний опис SI9945AEY-T1 VISHAY
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції SI9945AEY-T1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI9945AEY-T1 | Vishay Siliconix |
 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 3,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
SI9945AEY-T1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SI9945AEY-T1 | Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9945BDY-GE3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SI9945AEY-T1 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 3,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 2,4, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 3,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI9945AEY-T1 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI9945AEY-T1 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9945BDY-GE3
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9945BDY-GE3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.