Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI9945BDY-T1-GE3
SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si9945bdy.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 58527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI9945BDY-T1-GE3 за ціною від 26.77 грн до 66.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 Siliconix si9945bdy.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; SI9945BDY TSI9945bdy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9945BDY_Vishay.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 5,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI9945BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI9945BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; SI9945BDY TSI9945bdy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+26.77 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY_Vishay.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 5,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.