| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.44 грн |
| 10+ | 51.87 грн |
| 100+ | 35.12 грн |
| 500+ | 29.82 грн |
| 1000+ | 24.30 грн |
| 2500+ | 22.76 грн |
| 5000+ | 21.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI9945BDY-T1-GE3 за ціною від 27.37 грн до 66.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
 Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; SI9945BDY TSI9945bdyкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 5,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|