SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.39 грн |
| 5000+ | 21.45 грн |
| 12500+ | 20.46 грн |
| 25000+ | 19.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SI9945BDY-T1-GE3 за ціною від 21.58 грн до 82.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 18121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 41468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A; 2W; SO8 Power dissipation: 2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 5.3A On-state resistance: 58mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 12863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 68682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 18121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A; 2W; SO8 Power dissipation: 2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 5.3A On-state resistance: 58mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12863 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; SI9945BDY TSI9945bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |