Продукція > VISHAY > SI9945BDY-T1-GE3
SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY


VISH-S-A0002474569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.31 грн
500+34.75 грн
1000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI9945BDY-T1-GE3 за ціною від 23.63 грн до 86.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si9945bdy.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 58527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.12 грн
10+56.45 грн
100+38.22 грн
500+32.44 грн
1000+26.44 грн
2500+24.77 грн
5000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9945bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A; 2W
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.23 грн
10+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si9945bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A; 2W
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.28 грн
10+76.93 грн
26+43.50 грн
71+41.12 грн
500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI9945BDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.09 грн
50+66.14 грн
100+47.31 грн
500+34.75 грн
1000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : Siliconix si9945bdy.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 5,3A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; SI9945BDY TSI9945bdy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9945bdy.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 5,3 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 665 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,3 А, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 28 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9945bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si9945bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9945bdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si9945bdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.