SIA106DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.92 грн |
| 6000+ | 21.33 грн |
| 9000+ | 20.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA106DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIA106DJ-T1-GE3 за ціною від 21.33 грн до 93.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 63141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA106DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0142 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V |
на замовлення 10023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIA106DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |