Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA108DJ-T1-GE3
SIA108DJ-T1-GE3

SIA108DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia108dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.34 грн
6000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA108DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 19W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 19W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

Інші пропозиції SIA108DJ-T1-GE3 за ціною від 22.16 грн до 99.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA108DJ-T1-GE3 SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY sia108dj.pdf Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.30 грн
500+29.62 грн
1500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 SIA108DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia108dj.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+57.74 грн
100+44.27 грн
500+32.84 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 SIA108DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia108dj-1766411.pdf MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.68 грн
10+62.48 грн
100+41.63 грн
500+32.93 грн
1000+26.37 грн
3000+23.82 грн
6000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.06 грн
50+65.48 грн
100+44.30 грн
500+29.62 грн
1500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 sia108dj.pdf
SIA108DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+44.30 грн
500+29.62 грн
1500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 sia108dj.pdf
SIA108DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.34 грн
10+57.74 грн
100+44.27 грн
500+32.84 грн
1000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 sia108dj-1766411.pdf
SIA108DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.68 грн
10+62.48 грн
100+41.63 грн
500+32.93 грн
1000+26.37 грн
3000+23.82 грн
6000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA108DJ-T1-GE3 VISH-S-A0011029475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIA108DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA108DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.032 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+99.06 грн
50+65.48 грн
100+44.30 грн
500+29.62 грн
1500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.