Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIA400EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4496257-3
Price: 47370.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	15.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Товар під замовлення

Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.

термін постачання: 21-31 дні (днів)

Мінімальна партія: 3000 шт

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIA400EDJ-T1-GE3 за ціною від 11.56 грн до 65.72 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 2844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

811+	18.03 грн
817+	17.91 грн
976+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 811 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	29.22 грн
31+	25.21 грн
32+	24.99 грн
100+	20.62 грн
250+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 27 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 20876 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

7+	49.75 грн
10+	37.38 грн
100+	23.05 грн
500+	17.72 грн
1000+	15.92 грн
3000+	12.09 грн
6000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.72 грн
10+	39.27 грн
100+	25.51 грн
500+	18.36 грн
1000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 34 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

VISHAY

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	16.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	16.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 2844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
811+	18.03 грн
817+	17.91 грн
976+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 811 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
27+	29.22 грн
31+	25.21 грн
32+	24.99 грн
100+	20.62 грн
250+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 27 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 20876 шт:

термін постачання 31-40 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	49.75 грн
10+	37.38 грн
100+	23.05 грн
500+	17.72 грн
1000+	15.92 грн
3000+	12.09 грн
6000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	65.72 грн
10+	39.27 грн
100+	25.51 грн
500+	18.36 грн
1000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 34 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA400EDJ-T1-GE3

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.