SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix


sia400edj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIA400EDJ-T1-GE3 за ціною від 14.47 грн до 64.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+17.40 грн
817+17.29 грн
976+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.21 грн
31+24.34 грн
32+24.13 грн
100+19.91 грн
250+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia400edj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.91 грн
10+38.78 грн
100+25.20 грн
500+18.13 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia400edj.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 20876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY sia400edj.pdf Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY sia400edj.pdf Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
811+17.40 грн
817+17.29 грн
976+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+28.21 грн
31+24.34 грн
32+24.13 грн
100+19.91 грн
250+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.91 грн
10+38.78 грн
100+25.20 грн
500+18.13 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 20876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.