SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIA400EDJ-T1-GE3 за ціною від 14.47 грн до 64.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
на замовлення 2844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 20876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIA400EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.13 грн |
| SIA400EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.14 грн |
| SIA400EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 811+ | 17.40 грн |
| 817+ | 17.29 грн |
| 976+ | 14.47 грн |
| SIA400EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 28.21 грн |
| 31+ | 24.34 грн |
| 32+ | 24.13 грн |
| 100+ | 19.91 грн |
| 250+ | 14.55 грн |
| SIA400EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.91 грн |
| 10+ | 38.78 грн |
| 100+ | 25.20 грн |
| 500+ | 18.13 грн |
| 1000+ | 16.35 грн |
| SIA400EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 20876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIA400EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIA400EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIA400EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





