SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.96 грн |
| 6000+ | 14.13 грн |
| 9000+ | 13.50 грн |
| 15000+ | 12.00 грн |
| 21000+ | 11.60 грн |
| 30000+ | 11.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції SIA400EDJ-T1-GE3 за ціною від 10.71 грн до 65.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA400EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 20876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA400EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 149957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|