Продукція > VISHAY > SIA400EDJ-T1-GE3
SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay


sia400edj.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA400EDJ-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIA400EDJ-T1-GE3 за ціною від 11.64 грн до 66.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
811+15.05 грн
817+14.95 грн
976+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 811
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia400edj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.24 грн
6000+14.37 грн
9000+13.73 грн
15000+12.21 грн
21000+11.80 грн
30000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+22.65 грн
31+19.54 грн
32+19.37 грн
100+15.99 грн
250+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia400edj.pdf Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia400edj.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 23688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.40 грн
12+29.78 грн
100+18.69 грн
500+16.04 грн
1000+15.08 грн
3000+12.36 грн
9000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia400edj.pdf Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.25 грн
21+40.19 грн
100+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia400edj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
на замовлення 149957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.85 грн
10+40.46 грн
100+26.22 грн
500+18.88 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia400edj.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia400edj.pdf SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.