Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA413DJ-T1-GE3
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.45 грн
6000+ 22.42 грн
9000+ 21.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIA413DJ-T1-GE3 за ціною від 22.51 грн до 59.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIA413DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V
на замовлення 27540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.8 грн
10+ 48.63 грн
100+ 33.23 грн
500+ 30.97 грн
1000+ 24.91 грн
3000+ 23.57 грн
6000+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIA413DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 173789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.07 грн
10+ 46.55 грн
100+ 36.22 грн
500+ 28.81 грн
1000+ 23.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIA413DJ-T1-GE3 SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIA413DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA413DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia413dj.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товар відсутній