Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA414DJ-T1-GE3
SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia414dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SIA414DJ-T1-GE3 за ціною від 21.69 грн до 51.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA414DJ-T1-GE3 SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia414dj.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
на замовлення 17033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.13 грн
10+35.45 грн
100+27.57 грн
500+21.93 грн
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia414dj.pdf MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V
на замовлення 37948 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+51.33 грн
10+41.61 грн
100+28.15 грн
500+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 Vishay sia414dj.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.40 грн
18+45.54 грн
25+45.38 грн
100+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 sia414dj.pdf
SIA414DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
на замовлення 17033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.13 грн
10+35.45 грн
100+27.57 грн
500+21.93 грн
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 sia414dj.pdf
SIA414DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V
на замовлення 37948 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.33 грн
10+41.61 грн
100+28.15 грн
500+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 sia414dj.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+48.40 грн
18+45.54 грн
25+45.38 грн
100+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.