SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Vgs (Max): ±5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA.
Інші пропозиції SIA414DJ-T1-GE3 за ціною від 21.43 грн до 47.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA414DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V |
на замовлення 17033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIA414DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V |
на замовлення 37948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|