на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA416DJ-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.
Інші пропозиції SIA416DJ-T1-GE3 за ціною від 14.49 грн до 50.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V |
на замовлення 9559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
на замовлення 13010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 3725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W Mounting: SMD On-state resistance: 83mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 15A Case: PowerPAK® SC70 Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.3A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W Mounting: SMD On-state resistance: 83mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 15A Case: PowerPAK® SC70 Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.3A |
товару немає в наявності |