SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 18.20 грн |
| 6000+ | 16.61 грн |
| 9000+ | 15.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA416DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIA416DJ-T1-GE3 за ціною від 14.19 грн до 47.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 38318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA416DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V |
на замовлення 9559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|