SIA421DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.06 грн |
| 6000+ | 27.49 грн |
| 15000+ | 26.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA421DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.056 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIA421DJ-T1-GE3 за ціною від 26.41 грн до 94.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA421DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.056 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA421DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V |
на замовлення 53213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA421DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 5872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA421DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA421DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.056 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIA421DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerPAK® SC70 Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -35A Drain current: -12A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SIA421DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerPAK® SC70 Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -35A Drain current: -12A |
товару немає в наявності |