SIA4263DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Технічний опис SIA4263DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SIA4263DJ-T1-GE3 за ціною від 12.33 грн до 70.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIA4263DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIA4263DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIA4263DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SC70 P-CH 20V 7.5A |
на замовлення 21715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SIA4263DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 15.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 7735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIA4263DJ-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 15.6W
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.09 грн |
| 500+ | 17.18 грн |
| 1000+ | 14.31 грн |
| 5000+ | 12.33 грн |
| SIA4263DJ-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.58 грн |
| 10+ | 39.25 грн |
| 100+ | 29.30 грн |
| 500+ | 21.60 грн |
| 1000+ | 16.69 грн |
| SIA4263DJ-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SC70 P-CH 20V 7.5A
MOSFETs SC70 P-CH 20V 7.5A
на замовлення 21715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.98 грн |
| 10+ | 42.96 грн |
| 100+ | 24.32 грн |
| 500+ | 18.68 грн |
| 1000+ | 16.85 грн |
| 3000+ | 14.52 грн |
| 9000+ | 13.89 грн |
| SIA4263DJ-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.022 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 70.06 грн |
| 19+ | 43.58 грн |
| 100+ | 28.37 грн |
| 500+ | 20.23 грн |
| 1000+ | 16.85 грн |
| 5000+ | 14.52 грн |