SIA4263DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA4263DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 15.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIA4263DJ-T1-GE3 за ціною від 11.52 грн до 58.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA4263DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIA4263DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CH 20-V MSFT |
на замовлення 23337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIA4263DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIA4263DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA4263DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIA4263DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A On-state resistance: 51.1mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 52.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -32A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIA4263DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A On-state resistance: 51.1mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 15.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 52.2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -32A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |