Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

SIA427DJ.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.10 грн
6000+12.89 грн
9000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA427DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SIA427DJ-T1-GE3 за ціною від 11.56 грн до 45.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix SIA427DJ.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 22828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.39 грн
10+34.44 грн
100+23.93 грн
500+17.54 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors vishay_vish-s-a0003491890-1.pdf MOSFETs 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V
на замовлення 138436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.71 грн
10+38.64 грн
100+23.42 грн
500+18.29 грн
1000+14.85 грн
3000+12.25 грн
9000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia427dj.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.