Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia429dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.37 грн
6000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIA429DJT-T1-GE3 за ціною від 15.51 грн до 57.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia429dj-1761611.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 20675 шт:
термін постачання 881-890 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.30 грн
10+39.99 грн
100+25.94 грн
500+20.79 грн
1000+17.59 грн
3000+15.86 грн
6000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia429dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.89 грн
10+38.20 грн
100+24.79 грн
500+17.84 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA429DJT-T1-GE3 Виробник : Vishay sia429dj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.