SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.41 грн |
| 6000+ | 12.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIA429DJT-T1-GE3 за ціною від 14.56 грн до 58.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70 |
на замовлення 20675 шт: термін постачання 881-890 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.017 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 10 V |
на замовлення 20785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 10.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIA429DJT-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 19W Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |