Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIA431DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2622757-3
Price: 45870.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	15.29 грн
6000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, Verlustleistung: 3.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Інші пропозиції SIA431DJ-T1-GE3 за ціною від 12.63 грн до 83.76 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIA431DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

на замовлення 8797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.91 грн
10+	37.69 грн
100+	24.53 грн
500+	17.70 грн
1000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 75082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.80 грн
10+	40.25 грн
100+	22.85 грн
500+	17.60 грн
1000+	15.88 грн
3000+	13.81 грн
6000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.76 грн
16+	52.11 грн
100+	33.91 грн
500+	24.98 грн
1000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V

на замовлення 8797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	62.91 грн
10+	37.69 грн
100+	24.53 грн
500+	17.70 грн
1000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 75082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	65.80 грн
10+	40.25 грн
100+	22.85 грн
500+	17.60 грн
1000+	15.88 грн
3000+	13.81 грн
6000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	83.76 грн
16+	52.11 грн
100+	33.91 грн
500+	24.98 грн
1000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
50+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA431DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
50+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.