Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA431DJ-T1-GE3
SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia431dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.40 грн
6000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIA431DJ-T1-GE3 за ціною від 12.73 грн до 66.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA431DJ-T1-GE3 SIA431DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia431dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 8797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.37 грн
10+37.97 грн
100+24.71 грн
500+17.83 грн
1000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3 SIA431DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia431dj.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 75082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.28 грн
10+40.55 грн
100+23.02 грн
500+17.73 грн
1000+15.99 грн
3000+13.91 грн
6000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia431dj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia431dj.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+25.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SIA431DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia431dj.pdf MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.