SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix


sia432dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.45 грн
10+60.72 грн
100+47.21 грн
500+37.56 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA432DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIA432DJ-T1-GE3 за ціною від 27.47 грн до 95.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA432DJ-T1-GE3 SIA432DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia432dj.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.73 грн
10+63.98 грн
100+39.01 грн
500+35.05 грн
1000+30.18 грн
3000+28.16 грн
6000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA432DJ-T1-GE3 SIA432DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia432dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.