Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA436DJ-T1-GE3
SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia436dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.30 грн
6000+15.35 грн
9000+14.68 грн
15000+13.08 грн
21000+12.66 грн
30000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, Verlustleistung: 19W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm.

Інші пропозиції SIA436DJ-T1-GE3 за ціною від 16.50 грн до 96.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA436DJ-T1-GE3 SIA436DJ-T1-GE3 VISHAY sia436dj.pdf Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 35785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.30 грн
500+28.64 грн
1500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia436dj.pdf MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 178022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.68 грн
10+41.44 грн
100+27.61 грн
500+21.81 грн
1000+17.47 грн
3000+16.84 грн
6000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia436dj.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
на замовлення 77386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.33 грн
100+27.63 грн
500+19.99 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 SIA436DJ-T1-GE3 VISHAY sia436dj.pdf Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 35785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.65 грн
50+59.52 грн
100+39.30 грн
500+28.64 грн
1500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 sia436dj.pdf
SIA436DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 35785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+39.30 грн
500+28.64 грн
1500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 sia436dj.pdf
SIA436DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 178022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.68 грн
10+41.44 грн
100+27.61 грн
500+21.81 грн
1000+17.47 грн
3000+16.84 грн
6000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 sia436dj.pdf
SIA436DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1508 pF @ 4 V
на замовлення 77386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.67 грн
10+42.33 грн
100+27.63 грн
500+19.99 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA436DJ-T1-GE3 sia436dj.pdf
SIA436DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA436DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 12 A, 9400 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
на замовлення 35785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+96.65 грн
50+59.52 грн
100+39.30 грн
500+28.64 грн
1500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.