Продукція > VISHAY > SIA437DJ-T1-GE3
SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3 Vishay

sia437dj.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA437DJ-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIA437DJ-T1-GE3 за ціною від 14.22 грн до 66.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia437dj.pdf Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 122315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.64 грн
500+21.69 грн
1000+17.54 грн
5000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia437dj.pdf Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.012 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 122315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.56 грн
24+35.32 грн
100+28.64 грн
500+21.69 грн
1000+17.54 грн
5000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia437dj.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 258418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.09 грн
10+47.04 грн
100+27.88 грн
500+23.32 грн
1000+19.86 грн
3000+16.55 грн
6000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia437dj.pdf SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.