Продукція > VISHAY > SIA437DJ-T1-GE3
SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3 Vishay

sia437dj.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 29.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA437DJ-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIA437DJ-T1-GE3 за ціною від 16.77 грн до 81.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS91828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 120018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.46 грн
500+22.19 грн
1000+18.51 грн
5000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia437dj.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 256883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.16 грн
10+47.55 грн
100+29.51 грн
500+22.88 грн
1000+20.67 грн
3000+18.86 грн
6000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS91828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 119845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.97 грн
18+50.90 грн
100+33.28 грн
500+22.03 грн
1000+18.36 грн
5000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA437DJ-T1-GE3 SIA437DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia437dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.