SIA437DJ-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 35.44 грн |
| 500+ | 23.48 грн |
| 1000+ | 19.61 грн |
| 5000+ | 17.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA437DJ-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 19W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm.
Інші пропозиції SIA437DJ-T1-GE3 за ціною від 17.05 грн до 86.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 223923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIA437DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 19W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
на замовлення 117145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70 |
на замовлення 22247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIA437DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 223923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.18 грн |
| 10+ | 53.03 грн |
| 100+ | 30.31 грн |
| 500+ | 23.54 грн |
| 1000+ | 21.33 грн |
| 3000+ | 18.43 грн |
| 6000+ | 18.02 грн |
| SIA437DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
Description: VISHAY - SIA437DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 29.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 117145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 86.18 грн |
| 15+ | 53.80 грн |
| 100+ | 35.44 грн |
| 500+ | 23.48 грн |
| 1000+ | 19.61 грн |
| 5000+ | 17.05 грн |
| SIA437DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 22247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIA437DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
Description: MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)