Інші пропозиції SIA440DJ-T1-GE3 за ціною від 8.78 грн до 37.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 15985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 86277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|


