Інші пропозиції SIA440DJ-T1-GE3 за ціною від 8.53 грн до 48.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V |
на замовлення 15985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 86277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 124071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 24126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIA440DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |