Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

sia440dj.pdf
Код товару: 192984
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIA440DJ-T1-GE3 за ціною від 11.79 грн до 53.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.74 грн
6000+12.31 грн
9000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.37 грн
6000+14.84 грн
9000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 24126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay sia440dj.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.83 грн
25+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY sia440dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.56 грн
14+32.05 грн
25+26.36 грн
50+22.76 грн
100+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia440dj.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.18 грн
10+32.01 грн
50+23.41 грн
100+19.34 грн
500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia440dj.pdf MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 86277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY sia440dj.pdf Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 32366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 27AK1000
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 20587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.74 грн
6000+12.31 грн
9000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.37 грн
6000+14.84 грн
9000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 24126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
432+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+48.83 грн
25+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.56 грн
14+32.05 грн
25+26.36 грн
50+22.76 грн
100+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.18 грн
10+32.01 грн
50+23.41 грн
100+19.34 грн
500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 86277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
SIA440DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 32366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA440DJ-T1-GE3 VISH-S-A0001142037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 27AK1000
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 20587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.