Інші пропозиції SIA440DJ-T1-GE3 за ціною від 9.11 грн до 48.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 15985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 24126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 86277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SIA440DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 19W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
на замовлення 32366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIA440DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.22 грн |
| 6000+ | 9.51 грн |
| 9000+ | 9.11 грн |
| SIA440DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.68 грн |
| 6000+ | 12.25 грн |
| 9000+ | 11.74 грн |
| SIA440DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.30 грн |
| 6000+ | 14.77 грн |
| 9000+ | 14.34 грн |
| SIA440DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.18 грн |
| 14+ | 21.64 грн |
| 100+ | 16.75 грн |
| 500+ | 13.62 грн |
| 1000+ | 12.24 грн |
| SIA440DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 24126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 432+ | 47.73 грн |
| SIA440DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 48.61 грн |
| 25+ | 30.38 грн |
| SIA440DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 86277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIA440DJ-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
Description: VISHAY - SIA440DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 32366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)