Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA4446DJ-T1-GE3
SIA4446DJ-T1-GE3

SIA4446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia4446dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 20 V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.27 грн
10+40.74 грн
100+28.20 грн
500+22.11 грн
1000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA4446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIA4446DJ-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA4446DJ-T1-GE3 SIA4446DJ-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018233213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3 SIA4446DJ-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018233213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3 VISH-S-A0018233213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIA4446DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA4446DJ-T1-GE3 VISH-S-A0018233213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIA4446DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA4446DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 31 A, 0.011 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.