Продукція > VISHAY SILICONIX > SiA445EDJT-T1-GE3
SiA445EDJT-T1-GE3

SiA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia445edjt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SiA445EDJT-T1-GE3 за ціною від 10.49 грн до 37.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiA445EDJT-T1-GE3 SiA445EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia445edjt.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 10 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
11+28.06 грн
100+19.53 грн
500+14.31 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 SiA445EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia445edjt.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 105122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.42 грн
11+31.65 грн
100+19.16 грн
500+14.97 грн
1000+12.18 грн
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJT-T1-GE3 SIA445EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay sia445edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJT-T1-GE3 SIA445EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay sia445edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA445EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay sia445edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA445EDJT-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia445edjt.pdf SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.