Продукція > VISHAY > SIA446DJ-T1-GE3
SIA446DJ-T1-GE3

SIA446DJ-T1-GE3 Vishay

sia446dj.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA446DJ-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SIA446DJ-T1-GE3 за ціною від 15.92 грн до 76.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA446DJ-T1-GE3 SIA446DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia446dj.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.75 грн
6000+16.64 грн
9000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 SIA446DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia446dj.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
на замовлення 9567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.40 грн
10+45.90 грн
100+29.92 грн
500+21.65 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 SIA446DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia446dj-1763958.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA446DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia446dj.pdf SIA446DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.