SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.58 грн |
| 6000+ | 14.72 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V.
Інші пропозиції SIA446DJ-T1-GE3 за ціною від 17.12 грн до 83.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V |
на замовлення 8842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 80543 шт: термін постачання 291-300 дні (днів) |
|
| SIA446DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.62 грн |
| SIA446DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.62 грн |
| SIA446DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.00 грн |
| 6000+ | 20.97 грн |
| SIA446DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.03 грн |
| 6000+ | 21.00 грн |
| SIA446DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 37.85 грн |
| SIA446DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 37.85 грн |
| SIA446DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 75 V
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.30 грн |
| 10+ | 40.56 грн |
| 100+ | 26.47 грн |
| 500+ | 19.15 грн |
| 1000+ | 17.32 грн |
| SIA446DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 80543 шт:
термін постачання 291-300 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.65 грн |
| 10+ | 45.15 грн |
| 100+ | 29.05 грн |
| 500+ | 22.67 грн |
| 1000+ | 21.92 грн |
| 3000+ | 17.12 грн |




