SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A; 12W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 7.7A, Pulsed drain current: 10A, Power dissipation: 12W, Case: PowerPAK® SC70, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 177mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIA446DJ-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA446DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIA446DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 177mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SIA446DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70 |
товар відсутній |
|
| SIA446DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A; 12W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 177mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |