SIA449DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.93 грн |
| 6000+ | 9.08 грн |
| 9000+ | 8.43 грн |
| 30000+ | 7.73 грн |
| 75000+ | 7.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA449DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIA449DJ-T1-GE3 за ціною від 9.55 грн до 31.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA449DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 15 V |
на замовлення 130337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIA449DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 8430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIA449DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -30A; 12W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIA449DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -30A; 12W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 12W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |