Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA456DJ-T1-GE3
SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia456dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.43 грн
6000+22.73 грн
9000+21.84 грн
15000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA456DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 19W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm.

Інші пропозиції SIA456DJ-T1-GE3 за ціною від 26.24 грн до 126.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 VISHAY sia456dj.pdf Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.32 грн
500+38.81 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia456dj.pdf MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
5+67.41 грн
10+54.30 грн
100+36.80 грн
500+31.20 грн
1000+29.68 грн
6000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia456dj.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 21443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+59.01 грн
100+39.20 грн
500+28.81 грн
1000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 VISHAY sia456dj.pdf Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.45 грн
11+80.22 грн
100+53.32 грн
500+38.81 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 sia456dj.pdf
SIA456DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+53.32 грн
500+38.81 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 sia456dj.pdf
SIA456DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.41 грн
10+54.30 грн
100+36.80 грн
500+31.20 грн
1000+29.68 грн
6000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 sia456dj.pdf
SIA456DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 21443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.08 грн
10+59.01 грн
100+39.20 грн
500+28.81 грн
1000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 sia456dj.pdf
SIA456DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+126.45 грн
11+80.22 грн
100+53.32 грн
500+38.81 грн
1000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.