Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA456DJ-T1-GE3
SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia456dj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.55 грн
6000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA456DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIA456DJ-T1-GE3 за ціною від 23.70 грн до 74.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia456dj.pdf Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.72 грн
500+31.42 грн
1000+27.02 грн
5000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia456dj.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 6480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
10+46.21 грн
100+33.60 грн
500+30.16 грн
1000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia456dj.pdf MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.84 грн
10+57.87 грн
100+39.21 грн
500+33.25 грн
1000+31.63 грн
6000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia456dj.pdf Description: VISHAY - SIA456DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.08 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.03 грн
16+53.56 грн
100+37.72 грн
500+31.42 грн
1000+27.02 грн
5000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia456dj.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia456dj.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia456dj.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 SIA456DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia456dj.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA456DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia456dj.pdf SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.