SIA456DJ-T3-GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.40 грн |
| 10+ | 66.07 грн |
| 100+ | 44.81 грн |
| 500+ | 37.04 грн |
| 1000+ | 29.28 грн |
| 2500+ | 28.17 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
761-770 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA456DJ-T3-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIA456DJ-T3-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA456DJ-T3-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SIA456DJ-T3-GE3 | Vishay |
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIA456DJ-T3-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIA456DJ-T3-GE3 |
|
Виробник: Vishay
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.