Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIA461DJ-T1-GE3
SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sia461dj.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 13430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.89 грн
14+24.47 грн
100+15.58 грн
500+11.89 грн
1000+10.50 грн
3000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIA461DJ-T1-GE3 за ціною від 11.46 грн до 46.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia461dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.94 грн
11+28.02 грн
100+17.96 грн
500+12.78 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia461dj.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 11690 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia461dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.