Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIA461DJ-T1-GE3
SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sia461dj.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 13430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.63 грн
14+24.29 грн
100+15.46 грн
500+11.80 грн
1000+10.42 грн
3000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 17.9W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

Інші пропозиції SIA461DJ-T1-GE3 за ціною від 11.38 грн до 54.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia461dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+27.82 грн
100+17.83 грн
500+12.69 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 VISHAY sia461dj.pdf Description: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 17.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 13405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.12 грн
25+33.42 грн
100+21.42 грн
500+16.30 грн
1000+13.67 грн
5000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia461dj.pdf Транзистори
на замовлення 11690 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 sia461dj.pdf
SIA461DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.60 грн
11+27.82 грн
100+17.83 грн
500+12.69 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 sia461dj.pdf
SIA461DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA461DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.033 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 17.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 13405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+54.12 грн
25+33.42 грн
100+21.42 грн
500+16.30 грн
1000+13.67 грн
5000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 sia461dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Транзистори
на замовлення 11690 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.