Продукція > VISHAY > SIA466EDJ-T1-GE3
SIA466EDJ-T1-GE3

SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay


sia466edj.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+17.42 грн
100+16.78 грн
250+15.52 грн
500+14.89 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIA466EDJ-T1-GE3 за ціною від 15.96 грн до 47.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia466edj.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
652+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 652
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia466edj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia466edj.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
616+19.78 грн
619+19.68 грн
1000+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 616
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia466edj.pdf Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.08 грн
500+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia466edj.pdf Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0079 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.19 грн
21+38.99 грн
100+28.08 грн
500+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia466edj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.17 грн
10+39.99 грн
100+27.93 грн
500+22.38 грн
1000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia466edj.pdf MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 16735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.24 грн
10+40.47 грн
100+25.04 грн
500+21.19 грн
1000+18.14 грн
3000+16.62 грн
6000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 SIA466EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia466edj.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA466EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia466edj.pdf SIA466EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.