Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA466EDJ-T1-GE3

SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIA466EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 5042950-3
Price: 51510.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 19.2W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.

Інші пропозиції SIA466EDJ-T1-GE3 за ціною від 14.22 грн до 77.56 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIA466EDJ-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.81 грн
500+	22.81 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 6644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.50 грн
10+	33.43 грн
100+	25.90 грн
500+	20.06 грн
1000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 54456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.37 грн
10+	35.33 грн
100+	23.82 грн
500+	19.67 грн
1000+	17.81 грн
3000+	15.19 грн
6000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.56 грн
17+	48.57 грн
100+	31.81 грн
500+	22.81 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	31.81 грн
500+	22.81 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 1 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 6644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	36.50 грн
10+	33.43 грн
100+	25.90 грн
500+	20.06 грн
1000+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

на замовлення 54456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	37.37 грн
10+	35.33 грн
100+	23.82 грн
500+	19.67 грн
1000+	17.81 грн
3000+	15.19 грн
6000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

SIA466EDJ-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA466EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	77.56 грн
17+	48.57 грн
100+	31.81 грн
500+	22.81 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.