Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA468DJ-T1-GE3
SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia468dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA468DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIA468DJ-T1-GE3 за ціною від 21.80 грн до 76.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA468DJ-T1-GE3 SIA468DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia468dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.64 грн
10+46.01 грн
50+34.00 грн
100+28.24 грн
500+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 SIA468DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia468dj.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 78661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 sia468dj.pdf
SIA468DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.64 грн
10+46.01 грн
50+34.00 грн
100+28.24 грн
500+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 sia468dj.pdf
SIA468DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 78661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.