Продукція > VISHAY > SIA468DJ-T1-GE3
SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3 Vishay

sia468dj.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 16.1A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA468DJ-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIA468DJ-T1-GE3 за ціною від 14.56 грн до 54.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA468DJ-T1-GE3 SIA468DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia468dj.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 78661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.55 грн
10+44.64 грн
100+29.04 грн
500+22.82 грн
1000+17.59 грн
3000+16.07 грн
6000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 SIA468DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia468dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.13 грн
10+44.94 грн
100+33.55 грн
500+24.74 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia468dj.pdf SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA468DJ-T1-GE3 SIA468DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia468dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.