на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA468DJ-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIA468DJ-T1-GE3 за ціною від 12.82 грн до 47.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA468DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 78661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA468DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V |
на замовлення 3023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIA468DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SIA468DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 15 V |
товар відсутній |