Продукція > VISHAY SILICONIX > SiA469DJ-T1-GE3
SiA469DJ-T1-GE3

SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia469dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.59 грн
6000+6.67 грн
9000+6.34 грн
15000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 15.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm.

Інші пропозиції SiA469DJ-T1-GE3 за ціною від 9.48 грн до 58.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.80 грн
500+20.27 грн
1500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia469dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 73228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
13+23.26 грн
100+14.96 грн
500+10.60 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia469dj.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 100872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.21 грн
11+30.09 грн
100+16.78 грн
500+12.77 грн
3000+12.63 грн
6000+10.91 грн
9000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3 SIA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.87 грн
50+34.79 грн
100+29.80 грн
500+20.27 грн
1500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia469dj.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15, Qg, нКл = 15, Rds = 26,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 15,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
SIA469DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+29.80 грн
500+20.27 грн
1500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
SiA469DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 73228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
13+23.26 грн
100+14.96 грн
500+10.60 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
SiA469DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 100872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.21 грн
11+30.09 грн
100+16.78 грн
500+12.77 грн
3000+12.63 грн
6000+10.91 грн
9000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
SIA469DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 15480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+58.87 грн
50+34.79 грн
100+29.80 грн
500+20.27 грн
1500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15, Qg, нКл = 15, Rds = 26,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 15,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.