SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.65 грн |
| 6000+ | 6.72 грн |
| 9000+ | 6.38 грн |
| 15000+ | 5.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SiA469DJ-T1-GE3 за ціною від 8.97 грн до 49.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active |
на замовлення 73228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 100872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 12, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15, Qg, нКл = 15, Rds = 26,5 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 15,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|