SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.99 грн |
| 6000+ | 7.01 грн |
| 9000+ | 6.67 грн |
| 15000+ | 6.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SiA469DJ-T1-GE3 за ціною від 7.30 грн до 42.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
на замовлення 5695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V |
на замовлення 92410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 153660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA469DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 18610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2682 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SiA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 15; Qg, нКл = 15; Rds = 26,5 мОм; Ugs(th) = 3 В; Р, Вт = 15,6; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SC70-6L |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SIA469DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
товару немає в наявності |