Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA471DJ-T1-GE3
SIA471DJ-T1-GE3

SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia471dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.63 грн
6000+13.81 грн
9000+13.43 грн
15000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 19.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 19.2W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції SIA471DJ-T1-GE3 за ціною від 14.16 грн до 74.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIA471DJ-T1-GE3 SIA471DJ-T1-GE3 VISHAY sia471dj.pdf Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.61 грн
500+21.99 грн
1500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia471dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
12+24.98 грн
100+19.27 грн
500+15.68 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 SIA471DJ-T1-GE3 VISHAY sia471dj.pdf Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.65 грн
50+46.95 грн
100+30.61 грн
500+21.99 грн
1500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors sia471dj.pdf MOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
на замовлення 136553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.10 грн
10+45.41 грн
100+25.75 грн
500+19.88 грн
1000+18.02 грн
3000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia471dj.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 250 мкА, Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15, Qg, нКл = 27.8, Rds = 14 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 19.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
SIA471DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 19.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+30.61 грн
500+21.99 грн
1500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
SIA471DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
12+24.98 грн
100+19.27 грн
500+15.68 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
SIA471DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 19.2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+72.65 грн
50+46.95 грн
100+30.61 грн
500+21.99 грн
1500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
SIA471DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
на замовлення 136553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.10 грн
10+45.41 грн
100+25.75 грн
500+19.88 грн
1000+18.02 грн
3000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 250 мкА, Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15, Qg, нКл = 27.8, Rds = 14 мОм, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 19.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC70-6L Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.