SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.77 грн |
| 6000+ | 13.95 грн |
| 9000+ | 13.57 грн |
| 15000+ | 12.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 19.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIA471DJ-T1-GE3 за ціною від 13.67 грн до 69.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 3549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 19.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 30.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 15 V |
на замовлення 21767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA471DJ-T1-GE3 - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 30.3A, 30V, 0.0115 Ohm, 10V, 2.5V PowerPAK SC70 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 7190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L |
на замовлення 139764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SIA471DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товару немає в наявності |