SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.16 грн |
| 6000+ | 9.93 грн |
| 9000+ | 9.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 19W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIA477EDJT-T1-GE3 за ціною від 11.59 грн до 63.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIA477EDJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 13346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA477EDJT-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L |
на замовлення 55957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|