Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA477EDJT-T1-GE3
SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia477edjt.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.15 грн
6000+ 9.28 грн
9000+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SIA477EDJT-T1-GE3 за ціною від 9.43 грн до 33.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIA477EDJT-T1-GE3 SIA477EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia477edjt.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
на замовлення 13917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
12+ 24.77 грн
100+ 17.23 грн
500+ 12.62 грн
1000+ 10.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIA477EDJT-T1-GE3 SIA477EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia477edjt.pdf MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
на замовлення 13179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
11+ 27.88 грн
100+ 16.94 грн
500+ 13.22 грн
1000+ 10.76 грн
3000+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIA477EDJT-T1-GE3 SIA477EDJT-T1-GE3 Виробник : Vishay sia477edjt.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товар відсутній
SIA477EDJT-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia477edjt.pdf SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній