Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia483dj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.99 грн
6000+11.47 грн
9000+10.93 грн
15000+9.70 грн
21000+9.37 грн
30000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA483DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIA483DJ-T1-GE3 за ціною від 10.38 грн до 63.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia483dj.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 67217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.86 грн
12+32.15 грн
100+20.60 грн
500+16.26 грн
1000+13.24 грн
3000+11.15 грн
9000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia483dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.29 грн
10+33.00 грн
100+21.27 грн
500+15.22 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia483dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia483dj.pdf SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.39 грн
64+18.10 грн
174+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.