Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA483DJ-T1-GE3
SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia483dj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.66 грн
6000+11.18 грн
9000+10.55 грн
15000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA483DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIA483DJ-T1-GE3 за ціною від 10.18 грн до 59.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia483dj.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 67217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.15 грн
12+31.55 грн
100+20.22 грн
500+15.96 грн
1000+13.00 грн
3000+10.94 грн
9000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia483dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V
на замовлення 18499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.22 грн
11+30.16 грн
100+20.73 грн
500+14.83 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia483dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.45 грн
14+29.53 грн
64+14.81 грн
174+14.01 грн
1000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia483dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.34 грн
10+36.80 грн
64+17.77 грн
174+16.82 грн
1000+16.53 грн
3000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia483dj.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.