Інші пропозиції SIA517DJ-T1-GE3 за ціною від 10.70 грн до 77.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA517DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA517DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA517DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA517DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12/-12V Drain current: 4.5/-4.5A Power dissipation: 6.5W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 170/65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20/15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 2413 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA517DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 6.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 22278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA517DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 |
на замовлення 15197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA517DJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA517DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA517DJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товару немає в наявності |