Продукція > VISHAY SILICONIX > SIA519EDJ-T1-GE3
SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

sia519edj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.38 грн
6000+ 12.23 грн
9000+ 11.35 грн
30000+ 10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SIA519EDJ-T1-GE3 за ціною від 13.32 грн до 47.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+27.93 грн
12000+ 25.52 грн
24000+ 23.75 грн
36000+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
344+34.03 грн
375+ 31.15 грн
378+ 30.95 грн
500+ 24.3 грн
1000+ 21.08 грн
3000+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 344
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia519edj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 293676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.62 грн
10+ 32.67 грн
100+ 22.7 грн
500+ 16.64 грн
1000+ 13.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia519edj.pdf MOSFET N- & P- Channel 20V MOSFET
на замовлення 100898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.35 грн
10+ 36.38 грн
100+ 23.64 грн
500+ 18.58 грн
1000+ 14.38 грн
3000+ 13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia519edj.pdf Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 121466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.74 грн
20+ 39.22 грн
100+ 24.65 грн
500+ 17.9 грн
1000+ 15.11 грн
5000+ 13.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
SIA519EDJ-T1-GE3
Код товару: 168959 		sia519edj.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia519edj.pdf SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товар відсутній
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товар відсутній
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товар відсутній