SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix


sia519edj.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 291000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.38 грн
6000+13.14 грн
9000+12.20 грн
30000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIA519EDJ-T1-GE3 за ціною від 12.07 грн до 61.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia519edj.pdf Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 120212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.51 грн
500+18.85 грн
1000+14.08 грн
5000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sia519edj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 295244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.97 грн
10+35.10 грн
100+24.40 грн
500+17.88 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001122275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 120212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.99 грн
24+34.91 грн
100+24.51 грн
500+18.85 грн
1000+14.08 грн
5000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sia519edj.pdf MOSFETs N- & P- Channel 20V MOSFET
на замовлення 72942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.45 грн
10+38.41 грн
100+23.84 грн
500+18.76 грн
1000+16.92 грн
3000+12.36 грн
9000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3
Код товару: 168959
Додати до обраних Обраний товар

sia519edj.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : Vishay sia519edj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 Виробник : VISHAY sia519edj.pdf SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.