Інші пропозиції SIA519EDJ-T1-GE3 за ціною від 10.69 грн до 63.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA519EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA519EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA519EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 118487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA519EDJ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIA519EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 118487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIA519EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N- & P- Channel 20V MOSFET |
на замовлення 72942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA519EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual Part Status: Active |
на замовлення 74733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIA519EDJ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R |
товару немає в наявності |